Toshiba i Samsung otkrivaju detalje o napretku u tehnologiji čipova
19. Jun 2004.
Kompanije Toshiba i Samsung su nezavisno objavile podatke o napretku u projektovanju čipova. Čipovi o kojima je reč su dve generacije ispred najnaprednijih čipova koji se danas proizvode.
Cilj razvoja je čip sa elementima veličine 45 nanometara. Radi poređenja, današnji najsavremeniji čipovi proizvode se 90 nanometarskim procesom, a sledeća generacija trebalo bi da ima elemente veličine 65 nm, i ne očekuje još godinu dana.
Svaka nova generacija omogućava proizvođačima da na čip smeste više elemenata, uz manju potrošnju energije. Zbog toga tehnološki napredak igra ključnu ulogu u proizvodnji bržih, manjih i jeftinijih čipova, a samim tim i uređaja koji ih koriste.
Toshiba je objavila i detalje o novoj tehnologiji MOSFET tranzistora visokih performansi: tranzistor se koristi novom tehnologijom gejt-oksid da bi sprečio “curenje” struje, koje je trenutno najveći problem u razvoju čipova male potrošnje. Toshiba takođe najavljuje i višeslojnu tehnologiju povezivanja elemenata, pogodnu za korišćenje uz 45-nanometarski proces.
Samsung se odlučio za 50-nanometarsku tehnologiju, ali i za trodimenzionalni proces proizvodnje. Obe kompanije su podatke o napretku tehnologije objavile na simpozijumu o VLSI tehnologiji koji se održava od 15. do 17. juna na Havajima.
Početkom ove godine, Toshiba i Sony su najavili zajednički razvoj 45-nanometarske tehnologije. Podaci izneti na simpozijumu tiču se Toshibinog razvoja čipova pre početka saradnje sa Sonyjem, ali predstavnici Toshibe kažu da će ti rezultati biti uključeni u zajednički projekat.
Tweet
Kompanije Toshiba i Samsung su nezavisno objavile podatke o napretku u projektovanju čipova. Čipovi o kojima je reč su dve generacije ispred najnaprednijih čipova koji se danas proizvode.
Cilj razvoja je čip sa elementima veličine 45 nanometara. Radi poređenja, današnji najsavremeniji čipovi proizvode se 90 nanometarskim procesom, a sledeća generacija trebalo bi da ima elemente veličine 65 nm, i ne očekuje još godinu dana.
Svaka nova generacija omogućava proizvođačima da na čip smeste više elemenata, uz manju potrošnju energije. Zbog toga tehnološki napredak igra ključnu ulogu u proizvodnji bržih, manjih i jeftinijih čipova, a samim tim i uređaja koji ih koriste.
Toshiba je objavila i detalje o novoj tehnologiji MOSFET tranzistora visokih performansi: tranzistor se koristi novom tehnologijom gejt-oksid da bi sprečio “curenje” struje, koje je trenutno najveći problem u razvoju čipova male potrošnje. Toshiba takođe najavljuje i višeslojnu tehnologiju povezivanja elemenata, pogodnu za korišćenje uz 45-nanometarski proces.
Samsung se odlučio za 50-nanometarsku tehnologiju, ali i za trodimenzionalni proces proizvodnje. Obe kompanije su podatke o napretku tehnologije objavile na simpozijumu o VLSI tehnologiji koji se održava od 15. do 17. juna na Havajima.
Početkom ove godine, Toshiba i Sony su najavili zajednički razvoj 45-nanometarske tehnologije. Podaci izneti na simpozijumu tiču se Toshibinog razvoja čipova pre početka saradnje sa Sonyjem, ali predstavnici Toshibe kažu da će ti rezultati biti uključeni u zajednički projekat.
Tweet
