Razvijena moguća alternativa silicijumu
30. Avgust 2004.
Razvojni tim istraživačkog odeljenja japanske kompanije Toyota iz grada Nagakute, vođen od strane doktora Kazumase Takatorija, pronašao je način za proizvodnju vafera od silicijum-karbida koji bi mogli u budućnosti predstavljati zamenu za silicijum u proizvodnji integrisanih kola. Silicijum-karbid je poluprovodnik koji daleko efikasnije provodi struju od klasičnog silicijuma, a pored toga je u stanju da izdrži visoke temperature, visok nivo zračenja, a podržava i više radne napone. Mana ovog materijala je što se vaferi od njega ne mogu dobijati standardnim procesom topljenja i kristalizacije, pošto je silicijum-karbid nestabilan u tečnom stanju. Jedino rešenje do sada je predstavljala parna depozicija, ali bi preko 50 % kristala dobijeno na taj način posedovalo defekte koji su onemogućavali njihovu primenu u izradi elektronskih kola.
Ekipa doktora Takatorija je primenila komplikovane metode depozicije i sečenja dobijenih kristala na koje se ponovo deponuje novi sloj silicijum-karbida, i tako sve dok se ne dobiju vaferi od 7 cm u prečniku. Količina škarta u ovom procesu je svega par procenata, što znači da je tehnologija blizu komercijalne primene koja bi trebalo da započne negde između 2010. i 2012. godine. Čipovi izrađeni od silicijum karbida se prvo očekuju u regulatorima rada mlaznih motora, da bi se kasnije pojavili u strujnim ispravljačima, komunikacionim stanicama, automobilima, računarima i raznim elektronskim uređajima.
Tweet
Razvojni tim istraživačkog odeljenja japanske kompanije Toyota iz grada Nagakute, vođen od strane doktora Kazumase Takatorija, pronašao je način za proizvodnju vafera od silicijum-karbida koji bi mogli u budućnosti predstavljati zamenu za silicijum u proizvodnji integrisanih kola. Silicijum-karbid je poluprovodnik koji daleko efikasnije provodi struju od klasičnog silicijuma, a pored toga je u stanju da izdrži visoke temperature, visok nivo zračenja, a podržava i više radne napone. Mana ovog materijala je što se vaferi od njega ne mogu dobijati standardnim procesom topljenja i kristalizacije, pošto je silicijum-karbid nestabilan u tečnom stanju. Jedino rešenje do sada je predstavljala parna depozicija, ali bi preko 50 % kristala dobijeno na taj način posedovalo defekte koji su onemogućavali njihovu primenu u izradi elektronskih kola.
Ekipa doktora Takatorija je primenila komplikovane metode depozicije i sečenja dobijenih kristala na koje se ponovo deponuje novi sloj silicijum-karbida, i tako sve dok se ne dobiju vaferi od 7 cm u prečniku. Količina škarta u ovom procesu je svega par procenata, što znači da je tehnologija blizu komercijalne primene koja bi trebalo da započne negde između 2010. i 2012. godine. Čipovi izrađeni od silicijum karbida se prvo očekuju u regulatorima rada mlaznih motora, da bi se kasnije pojavili u strujnim ispravljačima, komunikacionim stanicama, automobilima, računarima i raznim elektronskim uređajima.
Tweet
