Nova primena razvučenog silikona
15. Decembar 2004.
Kompanije IBM i AMD zajednički su razvile tehnologiju razvučenog silicijuma koju će upotrebitu u proizvodnji pozitivnih i negativnih tranzistora. Nova tehnologija nazvana Dual Stress Liner treba da poboljša karakteristike procesora, a počeće da se primenjuje od početka naredne godine u proizvodnji AMD-ovih procesora Opteron i Athlon 64, kao i IBM-ovih procesora iz serije Power.
Budući da poboljšanje karakteristika tranzistora njihovim prostim smanjivanjem više ne daje zadovoljavajuće rezultate, istraživači dve kompanije posegli su za alternativnim rešenjem. Pri tom su imali na umu od ranije poznatu tehniku prenaprezanja silicijuma, koja se koristi za povećanje brzine kojom elektroni teku kroz silicijum. Naime, uočeno je da pozitivni tranzistori rade brže kada koriste sabijeni silicijum, a negativni kada koriste razvučeni sislicijum. Kompanije IBM i AMD tvrde da su primenom razvučenog silicijuma na obe vrste tranzistora postigli da oni rade brže za oko 25 posto.
Više detalja o novoj tehnologiji biće objavljeno na skupu International Electron Devices Meeting, koji se ove nedelje održava u San Francisku.
Tweet
Kompanije IBM i AMD zajednički su razvile tehnologiju razvučenog silicijuma koju će upotrebitu u proizvodnji pozitivnih i negativnih tranzistora. Nova tehnologija nazvana Dual Stress Liner treba da poboljša karakteristike procesora, a počeće da se primenjuje od početka naredne godine u proizvodnji AMD-ovih procesora Opteron i Athlon 64, kao i IBM-ovih procesora iz serije Power.
Budući da poboljšanje karakteristika tranzistora njihovim prostim smanjivanjem više ne daje zadovoljavajuće rezultate, istraživači dve kompanije posegli su za alternativnim rešenjem. Pri tom su imali na umu od ranije poznatu tehniku prenaprezanja silicijuma, koja se koristi za povećanje brzine kojom elektroni teku kroz silicijum. Naime, uočeno je da pozitivni tranzistori rade brže kada koriste sabijeni silicijum, a negativni kada koriste razvučeni sislicijum. Kompanije IBM i AMD tvrde da su primenom razvučenog silicijuma na obe vrste tranzistora postigli da oni rade brže za oko 25 posto.
Više detalja o novoj tehnologiji biće objavljeno na skupu International Electron Devices Meeting, koji se ove nedelje održava u San Francisku.
Tweet
