Nano-žice se usavršavaju
16. Mart 2004.
Grupa naučnika sa dva oregonska univerziteta predvođena profesorom Radžendrom Solankijem razvija novu tehnologiju postavljanja i primene nano-žica u budućim integrisanim kolima. Fondove za ovako značajan projekat obezbeđuju Intel, Sharp, FEI, a i senat Sjedinjenih Američkih Država će za njega izdvajati 3,7 milijardi dolara godišnje počev od 2005. godine. Iako danas mnogi vide nano-cevi kao buduće tranzistore u super-brzim elektronskim kolima, one još uvek imaju dosta rezvojnih problema zbog čega bi nano-žice mogle predstavljati povoljnije rešenje. Problem sa nano-cevima i sličnim tehnologijama je to što što su alati za njihovu proizvodnju mnogo veći od njih samih, tako da se proizvode u velikim količinama i moraju se "upucavati" na mesto, nakon čega se sve mora pregledati pod elektronskim mikroskopom. Pored toga, one za sada nisu kompatibilne sa sadašnjim proizvodnim procesom silikonskog čipa. Ekipa doktora Silankija se odlučila na drugačije rešenje, naime, oni su uspeli da nano-žice nateraju da "izrastu" između elektroda ranije postavljenih klasičnim litografskim procesom. Uz odgovarajući električni potencijal između elektroda i korišćenjem procesa znanog kao vapor-liquid-solid deposition, oni su uspeli da u laboratoriji dobiju silicijumske žice širine 5 do 20 nm. Za sada se još radi na tome kako da se na pravi način uslovi provodljivost nano-žica kako bi se dobio pravi tranzistor, a i omski otpor interfejsa nano-žice i metalne elektrode je suviše veliki da bi se mogao koristiti u uređajima. Takođe, standardni način "zaprljavanja" silicijuma drugim materijalima da bi se dobio poluprovodnik ovde je mnogo komplikovaniji jer su žice debele manje od 10 atoma.
Tweet
Grupa naučnika sa dva oregonska univerziteta predvođena profesorom Radžendrom Solankijem razvija novu tehnologiju postavljanja i primene nano-žica u budućim integrisanim kolima. Fondove za ovako značajan projekat obezbeđuju Intel, Sharp, FEI, a i senat Sjedinjenih Američkih Država će za njega izdvajati 3,7 milijardi dolara godišnje počev od 2005. godine. Iako danas mnogi vide nano-cevi kao buduće tranzistore u super-brzim elektronskim kolima, one još uvek imaju dosta rezvojnih problema zbog čega bi nano-žice mogle predstavljati povoljnije rešenje. Problem sa nano-cevima i sličnim tehnologijama je to što što su alati za njihovu proizvodnju mnogo veći od njih samih, tako da se proizvode u velikim količinama i moraju se "upucavati" na mesto, nakon čega se sve mora pregledati pod elektronskim mikroskopom. Pored toga, one za sada nisu kompatibilne sa sadašnjim proizvodnim procesom silikonskog čipa. Ekipa doktora Silankija se odlučila na drugačije rešenje, naime, oni su uspeli da nano-žice nateraju da "izrastu" između elektroda ranije postavljenih klasičnim litografskim procesom. Uz odgovarajući električni potencijal između elektroda i korišćenjem procesa znanog kao vapor-liquid-solid deposition, oni su uspeli da u laboratoriji dobiju silicijumske žice širine 5 do 20 nm. Za sada se još radi na tome kako da se na pravi način uslovi provodljivost nano-žica kako bi se dobio pravi tranzistor, a i omski otpor interfejsa nano-žice i metalne elektrode je suviše veliki da bi se mogao koristiti u uređajima. Takođe, standardni način "zaprljavanja" silicijuma drugim materijalima da bi se dobio poluprovodnik ovde je mnogo komplikovaniji jer su žice debele manje od 10 atoma.
Tweet
