Matsushita razvila memorijske kartice sa FeRAM memorijom
06. Oktobar 2004.
Kompanija Matsushita Electric Industrial Corporation je najavila prve SecureDigital memorijske kartice zasnovane na takozvanoj FeRAM memoriji. Matsushita razvija FeRAM tehnologiju još od početka devedesetih godina prošlog veka, a ova tehnologija se zasniva na principu namagnetisanog jezgra unutar memorijske ćelije, slično kao kod MRAM memorije. Dok se kod MRAM memorije orijentacija magnetnog polja očitava bez kontakta, kod FeRAM memorije za to služi feroelektrični kondenzator. FeRAM se razlikuje od MRAM tehnologije i po tome što je nešto jednostavniji za proizvodnju, ali je zato oko dvadeset puta sporiji. Ipak, i takva brzina je oko pet puta veća od brzine rada današnjih fleš čipova, a FeRAM memorijske ćelije takođe nije potrebno osvežavati, osim nakon čitanja podataka iz njih.
Nove smartSD/miniSD kartice sa FeRAM čipovima poseduju iste fizičke specifikacije kao i modeli sa fleš memorijom, ali se odlikuju većim brzinama čitanja i pisanja, a vremenom će doneti i veći kapacitet. Prvi modeli za japansko tržište će kombinovati dva tipa memorije, tako da će posedovati 32 KB FeRAM-a i 128 KB EEPROM memorije. Prvi semplovi ovakvih kartica se očekuju u decembru, dok će serijska proizvodnja početi na jesen naredne godine.
Tweet
Kompanija Matsushita Electric Industrial Corporation je najavila prve SecureDigital memorijske kartice zasnovane na takozvanoj FeRAM memoriji. Matsushita razvija FeRAM tehnologiju još od početka devedesetih godina prošlog veka, a ova tehnologija se zasniva na principu namagnetisanog jezgra unutar memorijske ćelije, slično kao kod MRAM memorije. Dok se kod MRAM memorije orijentacija magnetnog polja očitava bez kontakta, kod FeRAM memorije za to služi feroelektrični kondenzator. FeRAM se razlikuje od MRAM tehnologije i po tome što je nešto jednostavniji za proizvodnju, ali je zato oko dvadeset puta sporiji. Ipak, i takva brzina je oko pet puta veća od brzine rada današnjih fleš čipova, a FeRAM memorijske ćelije takođe nije potrebno osvežavati, osim nakon čitanja podataka iz njih.
Nove smartSD/miniSD kartice sa FeRAM čipovima poseduju iste fizičke specifikacije kao i modeli sa fleš memorijom, ali se odlikuju većim brzinama čitanja i pisanja, a vremenom će doneti i veći kapacitet. Prvi modeli za japansko tržište će kombinovati dva tipa memorije, tako da će posedovati 32 KB FeRAM-a i 128 KB EEPROM memorije. Prvi semplovi ovakvih kartica se očekuju u decembru, dok će serijska proizvodnja početi na jesen naredne godine.
Tweet
