Intel predstavio plan razvoja za narednu deceniju
26. Oktobar 2004.
Intel je u petak u svom glavnom štabu u Santa Klari održao prezentaciju na kojoj je nekoliko kompanijinih inženjera iznelo Intelova očekivanja vezana za dalji razvoj proizvodnje integrisanih kola. Intelov glavni tehnološki strateg, Paolo Garđini, kaže da će kompanija do 2010. godine već imati jasnu ideju čime da zameni posrnulu CMOS (complementary metal oxide semiconductor) tehnologiju koja leži u osnovi današnjih čipova. Još od 60-tih godina prošlog veka skok performansi čipova se ostvaruje usitnjavanjem proizvodnog procesa i povećavanjem broja tranzistora, ali takva strategija se ubrzano približava kraju svoje primenjivosti. Intel je bio dosledni sledbenik takozvanog Murovog zakon, nazvanog po kompanijinom koosnivaču, Gordonu Muru, ali priznaje da će on ostati na snazi još svega par godina. Po Garđiniju, 2000. godine je otpočela nova era u kojoj se performanse ne dobijaju samo usitnjavanjem, već i primenom dodatnih tehnologija.
Intel će 2007. godine preći na 65-nm proces pri kome će u tranzistorima koristiti metalne gate elektrode za razliku od današnjih, silicijumskih. Metalne elektrode će biti dvostruko deblje od sadašnjih, ali će zato sa njih bežati daleko manje elektrona. Intel će tada kao izolator tranzistora koristiti drugi materijal umesto tradicionalnog silicijum dioksida, ali je Garđini odbio da kaže o kom materijalu se radi.
Intel očekuje da će na ovaj način uspeti da usitni proizvodnju do 22 nm procesa koji bi trebalo da bude dostignut 2011. ili 2012. godine, ali onda će morati da smisli drugi način kako da nastavi da unapređuje performanse čipova do 2014. ili 2015. godine.
Intel smatra da će tada klasični tranzistori biti suviše mali da bi se mogli dalje smanjivati, tako da će biti zamenjeni ugljeničnim nano-cevima ili silicijumskim nano-žicama. Nano-cevi neće služiti samo kao tranzistori, već će se koristiti i kao međuveze i za odvođenje toplote sa čipova. Intel eksperimentiše sa postavljanjem nano-cevi na silicijumski vafer, ali je svestan da će do 2020. godine najverovatnije morati da kompletno napusti silicijum.
Tweet
Intel je u petak u svom glavnom štabu u Santa Klari održao prezentaciju na kojoj je nekoliko kompanijinih inženjera iznelo Intelova očekivanja vezana za dalji razvoj proizvodnje integrisanih kola. Intelov glavni tehnološki strateg, Paolo Garđini, kaže da će kompanija do 2010. godine već imati jasnu ideju čime da zameni posrnulu CMOS (complementary metal oxide semiconductor) tehnologiju koja leži u osnovi današnjih čipova. Još od 60-tih godina prošlog veka skok performansi čipova se ostvaruje usitnjavanjem proizvodnog procesa i povećavanjem broja tranzistora, ali takva strategija se ubrzano približava kraju svoje primenjivosti. Intel je bio dosledni sledbenik takozvanog Murovog zakon, nazvanog po kompanijinom koosnivaču, Gordonu Muru, ali priznaje da će on ostati na snazi još svega par godina. Po Garđiniju, 2000. godine je otpočela nova era u kojoj se performanse ne dobijaju samo usitnjavanjem, već i primenom dodatnih tehnologija.
Intel će 2007. godine preći na 65-nm proces pri kome će u tranzistorima koristiti metalne gate elektrode za razliku od današnjih, silicijumskih. Metalne elektrode će biti dvostruko deblje od sadašnjih, ali će zato sa njih bežati daleko manje elektrona. Intel će tada kao izolator tranzistora koristiti drugi materijal umesto tradicionalnog silicijum dioksida, ali je Garđini odbio da kaže o kom materijalu se radi.
Intel očekuje da će na ovaj način uspeti da usitni proizvodnju do 22 nm procesa koji bi trebalo da bude dostignut 2011. ili 2012. godine, ali onda će morati da smisli drugi način kako da nastavi da unapređuje performanse čipova do 2014. ili 2015. godine.
Intel smatra da će tada klasični tranzistori biti suviše mali da bi se mogli dalje smanjivati, tako da će biti zamenjeni ugljeničnim nano-cevima ili silicijumskim nano-žicama. Nano-cevi neće služiti samo kao tranzistori, već će se koristiti i kao međuveze i za odvođenje toplote sa čipova. Intel eksperimentiše sa postavljanjem nano-cevi na silicijumski vafer, ali je svestan da će do 2020. godine najverovatnije morati da kompletno napusti silicijum.
Tweet
