Intel ponovo isprobava 65 nm proces na memorijskim čipovima
02. Septembar 2004.
Japansko odeljenje kompanije Intel je objavilo javnosti da je gigant iz Santa Klare izradio prve funkcionalne semplove SRAM čipova kapaciteta 70 Mbita u 65 nm procesu. Ovo nisu prvi ovakvi čipovi, pošto je Intel još u novembru prošle godine predstavio uzorke DRAM čipova od 4 Mbita izrađene u 65 nm procesu sa veličinom memorijske ćelije od 0,57 kvadratnih mikrona. Intel se ne bavi proizvodnjom memorije, ali je kompanija više puta ranije isprobavala tranziciju na sitniji proizvodni proces upravo na jezgrima memorijskih čipova.
Intelova nova jezgra na sebi imaju preko pola milijarde tranzistora čija dužina gate elektrode iznosti 35 nm, što je za trećinu manje nego kod tranzistora izrađenih u 90 nm procesu, ali im zato debljina nije smanjivana, što bi trebalo da smanji tranzistorsko curenje. Jezgra su izrađena u Intelovoj fabrici u Oregonu, odlikuju se sleep tranzistorima koji isključuju nepotrebne delove elektronskog kola i novim low-k dielektrikom koji poseduje manju kapacitivnost, što poboljšava performanse međuveza i smanjuje potrošnju struje. Takođe je dodat i još jedan sloj metalnih interkonekcija, tako da će ih Intelovi budući 65 nm čipovi imati ukupno osam.
Tweet
Japansko odeljenje kompanije Intel je objavilo javnosti da je gigant iz Santa Klare izradio prve funkcionalne semplove SRAM čipova kapaciteta 70 Mbita u 65 nm procesu. Ovo nisu prvi ovakvi čipovi, pošto je Intel još u novembru prošle godine predstavio uzorke DRAM čipova od 4 Mbita izrađene u 65 nm procesu sa veličinom memorijske ćelije od 0,57 kvadratnih mikrona. Intel se ne bavi proizvodnjom memorije, ali je kompanija više puta ranije isprobavala tranziciju na sitniji proizvodni proces upravo na jezgrima memorijskih čipova.
Intelova nova jezgra na sebi imaju preko pola milijarde tranzistora čija dužina gate elektrode iznosti 35 nm, što je za trećinu manje nego kod tranzistora izrađenih u 90 nm procesu, ali im zato debljina nije smanjivana, što bi trebalo da smanji tranzistorsko curenje. Jezgra su izrađena u Intelovoj fabrici u Oregonu, odlikuju se sleep tranzistorima koji isključuju nepotrebne delove elektronskog kola i novim low-k dielektrikom koji poseduje manju kapacitivnost, što poboljšava performanse međuveza i smanjuje potrošnju struje. Takođe je dodat i još jedan sloj metalnih interkonekcija, tako da će ih Intelovi budući 65 nm čipovi imati ukupno osam.
Tweet
